先说说最有效提高你机器内存性能的几个参数：CL，TRP，TRCD
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期” BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，这个值一般是1.5~3之间，一般体质较好的能达到2（1.5好像没见过，嘿嘿），偶用的kingmax ddr333就能上到这个值，值越低表示内存传输数据所需时钟周期越短，当然性能也就越高啦。
RAS Precharge Time “行预充电时间” BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。与CL一样，它也是越小越好。不过必须得注意一下内存的自身素质，很多时候设置为最小值会导致系统失败。
RAS－to－CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间” BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。与CL一样，数值越小越好。
一般想提高系统内存性能的用户，设置好以上几个数值就好了，试试吧，呵呵，谁都想让自己的爱机跑的更快一些吧：）其他参数可以点击下面的链接
Automatic Configuration“自动设置”
（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）
在各大品牌主板中可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）
这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。
Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定（操作强度大就设为8，很普遍的日常应用就设为4）。
Command Rate“首命令延迟”
（可能的选项：1/2）
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行芯片的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是具体的寻址命令。这个参数的含义就是指在芯片选择完之后多少时间可以发出具体寻址的寻址命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此，当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。
Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”