实验二 RAM实验
一、实验目的：
了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。
掌握半导体存储器的字、位扩展技术。
二、实验所用器件和仪表：
RAM采用两片MM2114
隔离部件采用74LS125
译码器采用74LS138
三、实验内容：
采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的
读/写操作实验。
◆采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。
◆必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的
读/写操作实验。
◆ 选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。
◆ 分别设计试验步骤。
◆ 使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。
四、实验提示：
为简化试验，地址可只用低4位（其余地址可接地）。
五、实验接线图及实验结果：
基本的试验方案：
第一部分：采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。
设计线路：
字扩展的实验操作：
1.初始化：
将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。
将k13（RAM片选信号）推至低电平，选中RAM。
将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。
2.写入数据：
将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。
将k4~k11调整至想要的二进制输入值。
将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。
将k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。
3.读取数据：
将k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。
将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。
第二部分：采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。
设计线路：
位扩展的实验操作：
1.初始化：
将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。
将k13（第一块RAM片选信号）推至低电平，选中RAM，
同时确保将k12（第二块RAM片选信号）推至高电平，使RAM失效。
将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。
2.写入数据：
将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。
将k4~k7调整至想要的二进制输入值。
将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。
将k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。
3.读取数据：
将k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。
将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对灯泡的影响，读取数据。