N型（Negative负）电子
P型（Positive正）空穴
PN结：N型和P型半导体交界面形成。
二极管：
伏安特性：
硅：U=0.6~0.8V；
鍺：U=0.1~0.3V。
（除了肖特基二极管（0.3V左右），其他的二极管压降一般式0.8V左右）
稳压二极管：
正向特性与普通二极管类似，但反向击穿后，击穿曲线几乎平行于Y轴，这个表现出稳压特性。
输入电压发生波动时，负载电压不发生变化。
稳压管和一般的二极管不同，一般的二极管击穿以后就不能用了，但是稳压二极管不同，
它可以长期工作在击穿状态，用稳压管的时候要给它串连一个电阻，一旦电压高出稳压管的稳压值以后稳压管反向击穿，
电流会很大，但是由于串联电阻的存在，就会在电阻上有一个压降，使稳压管两端的电压稳定在稳压管的稳压值上，
然后在稳压管的两端引出两根线做电源就可以了。
整流二极管（rectifier diode）：
1N4007系列
发光二极管
特性与普通二极管类似
光电二极管
伏安特性：
双极性晶体管：
光电三极管
场效应管