饱和区： Je、Jc均正偏即uBE>Uon且uCE<uBE，此时iC不仅与IB有关，且明显随uCE增大而增大，ic<百特IB。工作点上移使VCE减小到一定程度（硅<0.3V，锗<0.1V），使得Je发射有余Jc收集不足，此时的BJT如同工作在短接状态；
截止区：Je电压小于开启电压Uon，且Jc反偏，即共射中uBE<=Uon，uCE>uBE，此时IB=0， iC<=ICEO；
放大区：Je正偏即uBE>Uon，且Jc反偏即uCE>=uBE，iC几乎仅仅决定于IB，而与uCE无关；
1、“Vce=Vbe≈0.7V”，是电路的一种特殊工作状态（方式）。理论上，一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce＜Vbe的状态则称为过饱和。当然，小功率BJT的饱和电压比大功率BJT的饱和电压要小，如小功率管可以小于0.4V，而大功率管则可以在1.0V以上，因此，以上的界定只是一般概念上的。在你提出的问题里，应该按Vce＝0.7V ＞0.4V考虑，因而，是可以工作的。
小功率BJT的饱和电压比大功率BJT的饱和电压要小，如小功率管可以小于0.4V，而大功率管则可以在1.0V以上’有误，饱和压降值与电流大小相关，与晶体管功率大小无关。
也就是，在本例中，可以理解为“Vce电压没有达到饱和”或“电压在临界饱和电压以上”，所以，电路将集电极与基极短接（建议不要描述为“短路”，因为短路通常是对故障状态用的术语）后，电路不但可以工作，而且可以正常工作。
2、发射结要正向偏置，集电结要反向偏置，此时即为放大状态。
Ube = Uce时，符合此条件还未变化的临界状态，因为Ubc可以看成是0，结两端电压的变化趋势是从反向偏置到临界，此时还没有让多子大规模扩散的外力介入，所以仍然处于放大状态而非饱和状态。需要注意的是，放大状态的条件是Uce大于等于Ube；