原文地址：http://icetime17.blog.163.com/blog/static/1974213792011919113437312/
其实通常所说内存（Memory）指的是：SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM。第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。之后的第二，三，四代DDR（Double
Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；二是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。
还有一种是为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的动作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。
现将SRAM的特点归纳如下：
◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的高速缓存
○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存
○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）
SRAM与SDRAM的比较：
SRAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；SDRAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用SDRAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用SRAM，在存取速度上，SRAM>SDRAM。另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。
接下来看SDRAM的地址映射方式：
BRC = Bank, Row, Column = Bank-Row-Column
RBC = Row, Bank, Column = Row-Bank- Column
这是SDRAM中，两种不同的地址映射方式。
SDRAM物理上，最小的单位，叫做一个cell单元，用于存储一个数据单位，可以是4-16bits。而更大一点的单位，就是对应的row或column了，见上图，这个很好理解，不多解释。然后多少行，多少列，共同组成了一个Bank，中文的含义，很像一个块，一个数据块。
根据上图中的说明可知：
常见的Bank，有4-8个；
而每个Bank中，一般包含16K的row；
而每个行中，一般又包含1024=1K的column；
而每个column中，即是我们所说的最小的单位cell了，是4-16bits。
此处所谓的地址映射，简单说就是，将一个内存地址，转换对应到相应的物理存储单元。
比如有个SDRAM，对应的参数是：
512Mb (32Mx16), 4 banks（用2bit表示）, row length = 13 bit, column length = 10bit
然后有个内存地址0x5010 2040，这样的地址，其实最高位的0x50是对应着SDRAM地址的最开始，所以，此处可以忽略，实际所表示的地址，就是0x0080 2040.
然后看个图：
这其实很清楚的显示了两种映射方式间的区别。
常见的地址映射方式有三种：
B-R-C （Bank, Row, Column）
R-B-C （Row, Bank, Column）
B-RL-CL-RH-CH （Bank, Row Low, Column Low, Row High, Column High）
BRC这种映射方式，用的最多。其优点是，功耗低；
RBC的优点是适合数据流方式去访问数据，性能好；
B-RL-CL-RH-CH适合存储视频，图像等数据，高性能。
而至于将某个SDRAM设置为BRC还是RBC，好像是SDRAM的controller来决定的。
而由于BRC和RBC，分别有不同的特点，所以，对于如何设置此地址映射方式，就是：
【总结】
如果是low-power的SDRAM（功耗相对低的，1.8V的低电压），然后就选BRC；
如果是High performance的SDRAM（高性能的，当然功耗相对高些，3.3V或2.5V的正常电压的），就选RBC。