NOR FLASH 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在 flash 闪存内运行， 不必再把代码读到系统 RAM 中。 NOR 的传输效率很高，
在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NOR FLASH 的地址线和数据线是分开的。 AM29LV160DB 是一个 2Mbyte 的 NOR FLASH，分区结构是：
1 个 16Kbyte 扇区， 2 个 8Kbyte 扇区， 1 个 32Kbyte 扇区， 31 个 64Kbyte 扇区 （字节模式）
1个8Kbyte扇区，2个4Kbyte扇区，1个16Kbyte扇区，31个32Kbyte扇区（半字模式） 共 35 个扇区。
下图是 TQ2440 开发板提供的 NOR FLASH 部分接线图。
AM29LV160DB第 47 脚是BYTE#脚，BYTE#接高电平时，器件数据位是 16 位，接低电平时，数据位是 8 位。上图 BYTE#接 VCC，D0-D15 做为数据输入输出。
A0-A19 是地址线，在半字模式下，D0-D15 做为数据输入输出口。因为数据位是16 位，A0-A19 可以选择2^20 = 1M *2BYTE = 2Mbyte。正好是 AM29LV160
DB的容量。S3C2440 的 ADDR1 要接 AM29LV160DB 的 A0。上图中 AM29LV160DB的A20,A21 是空脚，分别接的是 LADDR21,LADDR22。这应该是为了以
后方便扩展 NOR FLASH的容量。 LADDR21,LADDR22 对 AM29LV160DB 是没用的。
当 BYTE#接低电平时，D0-D7 做为 8 位数据输入输出口，D15 做为地址线 A-1。相当于有了 A-1,A0-A19 共21根地址线。这个时候S3C2440的ADDR0 应该接
在 D15（A-1）。。。。ADDR20 接 A19。21 根地址线的寻址空间是 2^21 = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB 的容量。