【二十八】
ARM——存储器篇 page ：25
(1)ARM存储器的分类:
非易失性存储器(NVM)：
ROM
{ ROM、PROM、EPROM、EEPROM } ；（EEPROM表示:电可擦除编程ROM）
Flash
{ NOR Flash、NAND Flash }
NAND Flash具有位反转的特性，需要采用(EDC/ECC纠错的算法)
注：Flash的编程原理都是只能将1写成0，而不能够将0写成1,。所以在Flash编程器前，必须将对应的块擦除，而擦出的过程其实就是把所
有位都写为1的过程，快内的所欲字节变为0xFF；
易失性存储器的RAM
SRAM：静态，供电就会保存一个值，没有刷新周期
DRAM：动态，以电荷的形式进行了存储，数据存放在电容上，需要定期的刷新来维持电容的电量。
DRAM(SDRAM、DDR、SDRAM都属于DRAM的范畴)
嵌入式还有用到一些特殊类型的存储器，如DPRAM称之为双端口的RAM、
内容全部本人来自阅读《设备驱动开发详解 第二版》 华清远见嵌入式培训中心 宋宝华 编著 这本书后的笔记。