做毕业设计要用到光耦合，选了个TLP521型的感觉是电流驱动型的，中间出现了些问题，拿出来探讨，希望大家不要出现类似的错误。
重要参数：输入输出电流都是50ＭＡ左右，这是最大值吧，最好不要超过８０MA，不过太小了也不行，太小了输入端不能使发光二极管导通。
限流一般用限流电阻实现。电压范围较大，就输入级而言，导通时就不用说，就是发光二极管的电压，不过正反向偏压好像不能超过5~6Ｖ的样子。输出级电压范围更大，只要不大于５０Ｖ就行，不过我有点怀疑受光三极管是否能承受，不过怀疑是怀疑，我也没做过具体实验测试。
下面是TLP的引脚图，他有三种封装，不过用法都一样：
TLP521光耦的1、2两个脚是发光侧，3、4两个脚是受光侧。
1、1－2脚之间并联电阻是分流作用，防止发光二极管暗亮产生误动作，也可以不要这个，没什么影响。 2、以TLP521－1为例，输出接单片机IＯ口，输出端为NPN型光电三极管结构，3脚为发射极，4脚为集电极，受光点为基极，接线方式有两种：
网上大都采用这两种接法，好像采用方法一的比例多谢，不过我用方法一出现了问题，就是 在不接入单片机IO口单独测试时，峰峰值电压可以达到接近+5V的方波信号（我本来要得到是方波信号，用来输入单片机INT0口做中断）。
不过当按方法一将输出接入单片机IO口INT0时，输出方波信号被拉低了，只有3.2V左右的峰值，根本驱动不了ＩＯ口，也就产生不了中断。所以我改用了方法二，后来发现方法二可行，输出方波电压没有被拉低，可以很好驱动IO口。
下面是我用两种方法所连接的protues图：
方法一：4脚下拉电阻接地，5脚接＋5V，4脚为I/O输出端，这种接法导通输出为1，截止输出为0
方法二：5脚上拉电阻接＋5V，4脚接地，5脚为I/O输出端，这种接法导通输出为0，截止输出为1
关于为何用方式一输出电压被拉低，具体原因我也不清楚，我想大概是用方式二有个三极管在输出端和地之间做隔离所以不会被拉低吧相当于是灌电流了，而方式一直接是IO口与电阻，地相接，产生的是拉电流。反正我可能分析的也不对。但三极管在中间起作用是肯定的了。
使用的过程中最主要的还是控制流过管子的电流的大小，以免烧坏管子。一般通过电流值计算应该接入电阻的大小，起限流作用。
做毕业设计要用到光耦合，选了个TLP521型的感觉是电流驱动型的，中间出现了些问题，拿出来探讨，希望大家不要出现类似的错误。
重要参数：输入输出电流都是50ＭＡ左右，这是最大值吧，最好不要超过８０MA，不过太小了也不行，太小了输入端不能使发光二极管导通。
限流一般用限流电阻实现。电压范围较大，就输入级而言，导通时就不用说，就是发光二极管的电压，不过正反向偏压好像不能超过5~6Ｖ的样子。输出级电压范围更大，只要不大于５０Ｖ就行，不过我有点怀疑受光三极管是否能承受，不过怀疑是怀疑，我也没做过具体实验测试。
下面是TLP的引脚图，他有三种封装，不过用法都一样：
TLP521光耦的1、2两个脚是发光侧，3、4两个脚是受光侧。
1、1－2脚之间并联电阻是分流作用，防止发光二极管暗亮产生误动作，也可以不要这个，没什么影响。 2、以TLP521－1为例，输出接单片机IＯ口，输出端为NPN型光电三极管结构，3脚为发射极，4脚为集电极，受光点为基极，接线方式有两种：
网上大都采用这两种接法，好像采用方法一的比例多谢，不过我用方法一出现了问题，就是 在不接入单片机IO口单独测试时，峰峰值电压可以达到接近+5V的方波信号（我本来要得到是方波信号，用来输入单片机INT0口做中断）。
不过当按方法一将输出接入单片机IO口INT0时，输出方波信号被拉低了，只有3.2V左右的峰值，根本驱动不了ＩＯ口，也就产生不了中断。所以我改用了方法二，后来发现方法二可行，输出方波电压没有被拉低，可以很好驱动IO口。
下面是我用两种方法所连接的protues图：
方法一：4脚下拉电阻接地，5脚接＋5V，4脚为I/O输出端，这种接法导通输出为1，截止输出为0
方法二：5脚上拉电阻接＋5V，4脚接地，5脚为I/O输出端，这种接法导通输出为0，截止输出为1
关于为何用方式一输出电压被拉低，具体原因我也不清楚，我想大概是用方式二有个三极管在输出端和地之间做隔离所以不会被拉低吧相当于是灌电流了，而方式一直接是IO口与电阻，地相接，产生的是拉电流。反正我可能分析的也不对。但三极管在中间起作用是肯定的了。
使用的过程中最主要的还是控制流过管子的电流的大小，以免烧坏管子。一般通过电流值计算应该接入电阻的大小，起限流作用。