版本3：答应笔记文本化。10-03-30;里面归总出核心关键词，目标工作量0.8
【待：章节完成 跟踪下sensor gnd , vsensor , can ，power三个余下部分】
【待：没事把功能部分补上。】
【待；电子元件：常用的数量级】
版本2：看后ohm后，进行注释。10-03-20
版本1：寒假前制定目标 ,框架。
字符解释：
ai :analog input di : digital input
ls : lowside 低电势工作 hs:highside 高电势工作。
原型接口：
【66：原型接口是外部信号进出的通道，要分清楚与单片机接口的关系】
【设计要点：设计电路图首先要理出 原型接口。】
【待：章节完成 跟踪下sensor gnd , vsensor , can ，power三个余下部分】
Di说明：
功能：一节有源滤波器（无源滤波+电压跟随器：滤波+增加阻抗），低通滤波器，滤去高阶信号。
其中的电阻参数 ，电容参数来源自 vansco 手册。
【注意：di 经过一阶滤波，di出现网络标号，一条通过总线回到单片机，另一条经过下图的电路。所以当下图的mos 开关不工作时，普通io功能就是回到单片机】
Q2端的S：就是power口引进的，基准电压12v,其目的就是往图中的12v网络【供电】，点火的名称由此来。
图中使用了两个npn，源于我们要实现“正逻辑”。
注：Fuse:就是电阻丝
开关：使用ttl 和p_mos管 控制,都能实现导通截止。其中p_mos管 通过的电流远大于ttl
此图表示的是可变电阻器，其中有4个可变电阻的处理
【？vr14_1 输出到di0】：vr14-1是端口名，di0是网络名。
P_mos管知识：
【mos作为开关，与三极管开关，有不同之处，想看专题笔记】
pmos ,要求Vgs 高电势《===》 d极低电势，其中g接地可以在设计中考虑。
mos 高阻抗， 适应于高频，但参数环境一定要配置好。【参看boss版本】
AI0说明
说明： ai0有运放，ai1没有运放，放大系数为1，两个电路区别在此。
AI_DI:就是AI复用扩展成DI,，增加DI的数目。
组成部分：p_mos管，上下拉电阻，运放，有源滤波器。
【使用Q5 Q6，当初考虑差分电路，cmos反相器，皆被否定。】
Q5 Q6 只有一个被导通。
数据通路：原型端口从ai 输入信号，放大滤波后，输出到ai0,ai0会被单片机adc模块处理，然后数值被单片机调用。
【符号：】图中12V的网络标号统一由power 口提供。
【电路放大，使用单运放！！，凡是运放的底线都是vcc/2,以防止信号干扰】
【放大电路的公式有文章！！】
【图sensor ground 是反向处理后的，这样不用使用减法器】
说明： ai0有运放，ai1没有运放，放大系数为1，两个电路区别在此。
【运放电路的设计 有文章！！】
【滤波电路中计算电容，先查到frequence ,再设定R，进而退出相关的电容C，其中RC是相互影响的】【待：要查具体影响，得查出C能实际生产的数量级。】
【mos G 端的电路配置：设计初期使用的是两个可变电阻，后期由于可变电阻器最高电压9v，小于电源电压12v,为保证安全，我们使用固定电阻+可变电阻进行搭配。
搭配法有讲究的！！】
【mos 电路相关参数的确定顺序：先查出Vgs, 由Vs端的极值（最大？？）求出Vg, 最后根据可变电阻的最大值，确定出固定电阻的值。】
Ls*系列：
LS0与 LS OUPUT 在同一个电路图中。
【Pmos 开关 控制电路的 导通 和 截止。通过ls output 信号。
最近的电路原理图对此进行了修正，目的：为了保持相关的逻辑。】
【Ls0 是电路的输出，外界负载电路。可以带电源的哈】
【检测电路 用的 是电压反馈，最终实现电流反馈！！】
【放大器是正向放大，因为负端挨着 底线】
电路分析：
一阶有源低通滤波器。
HS*系列端口：
电路原理：
【待：理出基本的电路通路】
【两个检测电路很有文章！！】
【从最初的设计原理图==】到最后的mos电路集成，很有文章 】
【关键词：检测电路，最终落实到检测Di 】
【检测电路核心：一直】