星期1：
摆摊。ARM公司研讨会，在摆摊。早上还差点迟到了。遇到的人倒是很多，但是遇到的大多数参与的人员是做IC的，剩余的就是代理商，做MID的。摆摊的倒是以A8,A9的居多，还有烧录器等。隔壁的兄弟和我同名，在做烧录器的FAE，最便宜的也要卖2W多。。呵呵，暂时是用不起了。
好玩的就是，下午的抽奖竟然让我上了。磕磕碰碰讲了几个字。然后抽了四张。。哈哈。后来，Randy问我，记得那几个人没，我说没，他是想说，如果记得的话，做个回访就好了。Good idea。
星期2:
又回老东家了。帮忙调试和熟悉一下低阶和中阶的产品。把UART的中断优先级提到了最高。
static __INLINE void NVIC_SetPriority(IRQn_Type IRQn, uint32_t priority)。
例如：NVIC_SetPriority(USART0_RX_IRQn, 0);
由于我们的EFM32仅支持8个优先级的中断，因此这个值只能是从0～7.
另外，在做iPad的界面UI。目前主要是在抠图。已经做了两个页面了。时间有些赶啊。
后记 ：
数字0表示优先级最高（芯片复位后的默认情况）。另外，参考EFM32的手册之后，USART0（我用到的）RX的中断默认硬件优先级已经很高了。所以，调整的必要性不大。
星期3：
挪威答应帮忙做FA了。等待RMAnumber。等到之后，邮寄出去就行。已经打包好了。
帮助杭州的客户解决Flash操作的问题。反馈的问题是操作Flash时，有复位现象发生。确认不是因为使用盗版的jlink而产生的现象之后，大约明白是因为在擦写Flash时有中断发生。建议客户关闭总中断或则使用RAM函数。
关闭总中断，则IAR则调用__disable_irq(); 开启总中断则用__enable_irq();
如果使用RAM函数，则参考如下的细节：
#ifdef __CC_ARM /* MDK-ARM compiler */
msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t *address, voidconst *data, int
numBytes);
msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t *startAddress);
#endif /* __CC_ARM */
#ifdef __ICCARM__ /* IAR compiler */
__ramfunc msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t*address, void const
*data, int numBytes);
__ramfunc msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t*startAddress);
#endif /* __ICCARM__ */
#ifdef __GNUC__ /* GCC based compilers */
#ifdef __CROSSWORKS_ARM /* Rowley Crossworks */
msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t *address, voidconst *data, int
numBytes) __attribute__ ((section(".fast")));
msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t *startAddress)__attribute__
((section(".fast")));
#else /* Sourcery G++ */
msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t *address, voidconst *data, int
numBytes) __attribute__ ((section(".ram")));
msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t *startAddress)__attribute__
((section(".ram")));
#endif /* __GNUC__ */
#endif /* __CROSSWORKS_ARM */
下午还是去了Honeywell。最主要是要解释一下LESENSE的功能，同时和磁阻传感器做比较。同时了解一下案子的具体情况。另外还要了解一下另外一个案子的进展状况。
但是没有用过磁阻传感器，但是感觉磁阻传感器MR和霍尔还是有些区别的，搜索了一下，honeywell本身也生产MR传感器。呵呵。参考附件：
http://download.csdn.net/detail/efm32/3864492